85V-300V N-沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 100 V MOSFET OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 100 V工业功率器件主要面向采用同步整流的应用，如电信、服务器电源，以及太阳能、低压驱动器、笔记本电脑适配器及其他应用。

相较于同类器件，OptiMOS™ 5 100 V 功率 MOSFET 的漏源导通电阻 (RDS (on)) 降低了 22%，其在 SuperSO8 封装中的导通电阻低至 2.7 mΩ，品质因数 (FOM) 值领先业界。该产品还提供 80 V 电压等级的型号。
 
100 V N 沟道 MOSFET 
为满足高低开关频率的要求，英飞凌设计了一系列 100 V N 沟道 MOSFET，器件采用 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅晶粒技术。 OptiMOS™ 100 V MOSFET 产品针对需要宽域开关频率的高性能应用进行优化，而 StrongIRFET™ N 沟道 100 V MOSFET 产品优化则针对低于 100 kHz 的开关频率。这一稳固设计为工业应用提供了稳健性和高载流能力。
 
OptiMOS™ 快速二极管 200 V/220 V/250 V/300 V N 沟道 MOSFET
OptiMOS™ 快速二极管 (FD)为英飞凌最新一代功率 MOSFET，涵盖 200 V、220 V、250 V 和 300 V 型号产品，针对硬开关拓扑进行了优化，旨在用于体二极管硬换向。
凭借面向高性能要求优化的反向恢复电荷 (Qrr)，与 OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ FD 产品（包括 250 V MOSFET N 沟道）的 Qrr 降低了 40%。
通过大幅降低电压过冲，这一低 Qrr 可提高系统可靠性，显著缩减缓冲电路用量，从而降低工程成本和工作量。
 
OptiMOS™ 300 V 
英飞凌 OptiMOS™ 300 V MOSFET 系列采用快速二极管技术，特别针对体二极管硬换向进行了优化，可在硬开关应用中呈现出色性能和设计多样性。英飞凌依托该额外电压等级树立了又一标杆，将 OptiMOS™ 产品组合从 20 V 扩展到 300 V。OptiMOS™ 300 V 器件表现出令人印象深刻的导通电阻 (RDS(on))、品质因数 (FOM) 和市面上较低的反向恢复电荷 (Qrr)。上述特性成就了卓越的高系统可靠性和硬换向稳健性，因此产品尤其适合诸如电信、不间断电源 (UPS)、工业电源、DC-AC 逆变器和电机控制等硬开关应用。
在电机控制等大电流应用中，D2PAK 封装的 40.7 mΩ OptiMOS™ 300 V 器件可降低导通损耗，提升整体效率。该产品的 FOM 较其替代器件降低了 30% 以上，为业内最低，可减少系统功率损耗。这一特性还可提高开关模式应用的开关速度，如 60 V 电信系统的同步整流。