纳芯微的隔离半桥驱动芯片具有高可靠性，高集成度，高速开关等特性。可用于驱动IGBT、MOSFET、SiC和GaN等各种功率器件。基于NOVOSENSE的电容隔离技术，能满足基本绝缘或加强绝缘要求，可应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源设计中。
| 产品名称 | 峰值输出电流(A) | 输入侧VCC电压 (Max)(V) |
输出侧VCC电压 (Max)(V) |
VCC UVLO 阈值(V) | 隔离耐压 (kVrms) |
绝缘等级 | 死区功能 | 产品等级 | 封装类型 |
| NSi6602A-DLAR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 6.5 | 2.5 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | LGA13 |
| NSi6602B-DLAR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 8.9 | 2.5 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | LGA13 |
| NSi6602C-DLAR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 13.5 | 2.5 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | LGA13 |
| NSi6602A-DSPNR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 6.5 | 3 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | SOP16 |
| NSi6602B-DSPNR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 8.9 | 3 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | SOP16 |
| NSi6602C-DSPNR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 13.5 | 3 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | SOP16 |
| NSi6602A-DSWR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 6.5 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW16 |
| NSi6602B-DSWR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 8.9 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW16 |
| NSi6602C-DSWR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 13.5 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW16 |
| NSi6602B-Q1SWR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 8.9 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 车规级 | SOW16 |
| NSi6602B-DSWKR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 8.9 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW14 |
| NSi6602HB-DSWR | 6/-8 | 5.5 | 25 | 8.9 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW16 |
| NSi6602HA-DLAR | 6/-8 | 5.5 | 25 | 6.5 | 2.5 | 基本绝缘 | 可调 | 工业级 | LGA13 |
| NSi6602C-DSWKR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 13.5 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW14 |
| NSi6602A-Q1SWR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 6.5 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 车规级 | SOW16 |
| NSi6602A-DSWKR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 6.5 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 工业级 | SOW14 |
| NSi6602B-Q1SPNR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 8.9 | 3 | 基本绝缘 | 可调 | 车规级 | SOP16 |
| NSi6602C-Q1SWKR | 4/-6 | 5.5 | 25 | 13.5 | 5.7 | 加强绝缘 | 可调 | 车规级 | SOW14 |